ZnO基壓敏陶瓷具有優(yōu)良的非線性I-V特性及耐脈沖電流能力,作為過壓保護和浪涌吸收的元件被廣泛地應用在電子線路、電力系統(tǒng)中[1, 2]。利用ZnO基壓敏陶瓷材料可制作多層貼片壓敏電阻。類似多層瓷介電容器,制備多層壓敏電阻需要將內電極和壓敏陶瓷材料共燒,通常壓敏陶瓷材料燒結溫度范圍在1100~1200 ℃,適當配比的Ag/Pd電極可以適合這個溫度范圍。但是,ZnO-Bi2O3系壓敏陶瓷中含有較多,Bi2O3容易與Ag/Pd內電極中的Pd發(fā)生反應[3, 4],破壞內電極連續(xù)性。
如果能將燒結溫度降低,內電極中可以不采用昂貴的Pd金屬材料,避免上述的Pd與Bi2O3之間的反應。金屬銀的熔點約960 ℃,已有成熟的銀電極漿料燒結溫度在840 ℃以下,因此,如果能將氧化鋅壓敏陶瓷材料的燒結溫度降低到840 ℃以下,則可以采用銀電極作為多層壓敏電阻的內電極。
氧化鋅壓敏陶瓷材料通常燒結溫度高于1100 ℃,要與銀內電極共燒,需要大幅降低燒結溫度。據(jù)報道,采用納米ZnO可以降低壓敏陶瓷的燒結溫度[5],但是納米粉體價格昂貴,而且也不能將壓敏陶瓷的燒結溫度降低到840℃以下。采用低熔點燒結助劑可以降低陶瓷材料的燒結溫度,壓敏陶瓷材料組成中的Bi2O3就是廣泛采用的燒結助劑,已經將ZnO粉體材料的燒結溫度從1400 ℃左右降低到1200 ℃以內。氧化硼的熔點約為450 ℃,可以作為氧化鋅壓敏陶瓷的燒結助劑,但是氧化硼、硼酸等都會與壓敏陶瓷生產過程中用的有機粘結劑發(fā)生反應,破壞料漿的流變特性,對成型過程造成很大影響。
本工作嘗試采用B4C作為氧化鋅壓敏陶瓷的燒結助劑,成功將ZnO-Bi2O3基壓敏陶瓷材料的燒結溫度降低到840℃,制備了微觀結構和基本電性能較好的ZnO壓敏陶瓷樣品。
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